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            InGaAs 800nm-1700nm光电探测器
            所属类别:

            所属品牌:

            数据单下载
            产品简介

                   随着科技发展和工业要求,现代仪器正向集成化、工程化、智能化、高精度、快速处理和分析,自动化方向发展。光电检测技术是现代仪器的一个重要部分,推动了现代分析仪器的发展,广泛地应用于各行各业领域中。特别是微弱光电检测技术是光电信息转换的起点也是光电检测的难点,同时也是最具有潜力的信息技术之一。现代分析仪器的接收部分常用的光电检测器、光电倍增管 PMT Photomultiplier tube)和光学成像 CCD(Charge Coupled Device)传感器等器件。可提供800-1700nm近红外光探测器,广泛用于光谱研究和光谱仪器。


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            波长探测范围:0.8um-1.7um

            特点:高响应度、低噪声、快速响应

            应用:光功率计、激光二极管寿命测试、黑体辐射测量、分光分度计、GAS分析



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            InGaAs PIN Photodiode



            性能指标:

            参数

            符号

            测试条件

            最小值

            典型值

            最大值

            单位

            响应度@1550

            R

            Vr= 0V

            0.95

            1.00

            -

            A/W

            暗电流

            Id

            Vr= 5V

            -

            1

            10

            nA

            工作波长

            λ

            -

            800

            1550

            1700

            nm

            带宽

            fc

            -

            -

            -

            -

            GHz

            结电容

            C

            Vr= 5V

            -

            50

            80

            pf

            工作电压

            Vr

            -

            -

            -

            -20

            V

            工作温度

            Top

            -

            -30

            -

            +65

            存储温度

            Tst

            -

            -40

            -

            +85


            光敏面直径:1mm

            型号LTM-N1-D1-TO

            封装形式:TO46平窗

            管脚定义:

            image.png



            光敏面直径:2mm

            型号LTM-N1-D2-TO

            封装形式:TO5平窗

            管脚定义:

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